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FDLL3595 — High Conducta
nce, Low Leakage Diode
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA150 V
VF
Forward Voltage
IF
= 1.0 mA 520 680 mV
IF
= 5.0 mA 600 750 mV
IF
= 10 mA 650 800 mV
IF
= 50 mA 750 880 mV
IF
= 100 mA 790 920 mV
IF
= 200 mA 0.83 1.0 V
IR
Reverse Leakage
VR
= 125 V 1.0 nA
VR
= 30 V, T
A
= 125
°C300nA
VR
= 125 V, T
A
= 125
°C500nA
VR
= 180 V, T
A
= 150
°C3.0μA
CTTotal Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 8.0 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 10 mA, V
R
= 3.5 V
RL
= 1.0 K
Ω
3.0
μs
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